PRODUKTBESCHREIBUNG
Da die Technologie sich in atemberaubendem Tempo weiterentwickelt hat, sind alle Arten von Halbleiter-Leistungsbauelementen nun vom Laborstadium in die Phase der kommerziellen Anwendung übergegangen. Dies gilt insbesondere für die Halbleiterbauelemente der dritten Generation, die durch SiC repräsentiert werden--, sie haben den Lokalisierungsprozess beschleunigt. Der Markt für diskrete Bauelemente für die Automobilindustrie wird jedoch von ausländischen Giganten kontrolliert, sodass es für inländische Geräte schwierig ist, ein Stück vom Kuchen abzubekommen. Und einer der Hauptgründe für dieses Phänomen ist, dass die Zuverlässigkeit unserer Produkte nicht gut anerkannt wird.
Testzyklus
2-3 Monate, in denen ein umfassender Zertifizierungsplan, Tests und andere Dienstleistungen bereitgestellt werden
Produktumfang
Diskrete Halbleiterbauelemente wie Diode, Triode, Transistor, MOS, IBGT, TVS-Röhre, Zenerdiode und Thyratron
Probeartikel
S/N |
Testgegenstand |
Abkürzung |
Probennummer/Charge |
Chargennummer |
Testmethode |
1 | Elektrische und photometrische Tests vor und nach der Belastung | PRÜFEN |
Test vor und nach allen Stresstests |
Benutzerspezifikationen oder Standardspezifikationen des Lieferanten |
|
2 | Vorkonditionierung | PC |
SMD-Produkte vor den Tests 7, 8, 9 und 10 vorbehandeln |
JESD22-A113 | |
3 | Externes Bildmaterial | EV |
Test vor und nach jedem Test |
JESD22-B101 | |
4 | Parametrische Verifizierung | PV | 25 | 3 Hinweis A |
Benutzerspezifikationen |
5 | Hohe Temperatur Rückwärtsvorspannung |
HTRB | 77 | 3 Anmerkung B | MIL-STD-750-1 M1038 Methode A |
5a | AC-Blockierung Stromspannung |
ACBV | 77 | 3 Anmerkung B | MIL-STD-750-1 M1040 Testbedingung A |
5b | Hohe Temperatur Vorwärtsvorspannung |
HTFB | 77 | 3 Anmerkung B | JESD22 A-108 |
5c | Gleichgewichtszustand Betriebsbereit |
SSOP | 77 | 3 Anmerkung B | MIL-STD-750-1 M1038 Zustand B (Zenerdioden) |
6 | Hohe Temperatur Gate-Vorspannung |
HTGB | 77 | 3 Anmerkung B | JESD22 A-108 |
7 | Temperatur Radfahren |
TC | 77 | 3 Anmerkung B | JESD22 A-104 Anhang 6 |
7a | Temperatur Radsport-Heißtest |
TCHT | 77 | 3 Anmerkung B | JESD22 A-104 Anhang 6 |
7a alt |
TC-Delamination Prüfen |
TCDT | 77 | 3 Anmerkung B | JESD22 A-104 Anhang 6 J-STD-035 |
7b | Drahtbond-Integrität | WBI (Englisch) | 5 | 3 Anmerkung B | MIL-STD-750 Methode 2037 |
8 | Unvoreingenommen Beschleunigter Stress Prüfen |
UHAST | 77 | 3 Anmerkung B | JESD22 A-118 |
8 alt |
Autoklav | Klimaanlage | 77 | 3 Anmerkung B | JESD22 A-102 |
9 | Hochbeschleunigt Stresstest |
HAST | 77 | 3 Anmerkung B | JESD22 A-110 |
9 alt |
Hohe Luftfeuchtigkeit Hohe Temperatur. Rückwärtsvorspannung |
H3TRB | 77 | 3 Anmerkung B | JESD22 A-101 |
10 | Wechselnd Betriebsdauer |
IOL | 77 | 3 Anmerkung B | MIL-STD-750 Methode 1037 |
10 alt |
Kraft und Temperaturzyklus |
PTC | 77 | 3 Anmerkung B | JESD22 A-105 |
11 | ESD Charakterisierung |
ESD | 30 HBM | 1 | AEC-Q101-001 |
30 CDM | 1 | AEC-Q101-005 | |||
12 | destruktiv Physikalische Analyse |
DPA | 2 | 1 HinweisB | AEC-Q101-004 Sektion 4 |
13 | Physikalisch Abmessungen |
PD | 30 | 1 | JESD22 B-100 |
14 | Klemmenstärke | TS | 30 | 1 | MIL-STD-750 Methode 2036 |
15 | Beständigkeit gegen Lösungsmittel |
RTS | 30 | 1 | JESD22 B-107 |
16 | Konstante Beschleunigung | CA | 30 | 1 | MIL-STD-750 Methode 2006 |
17 | Vibrationsvariable Frequenz |
VVF |
Bei den Punkten 16 bis 19 handelt es sich um sequenzielle Tests versiegelter Verpackungen. (Siehe Anmerkung H auf der Legendenseite.) |
JEDEC JESD22-B103 |
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18 | Mechanisch Schock |
FRAU | JEDEC JESD22-B104 |
||
19 | Hermetik | IHR | JESD22-A109 | ||
20 | Beständigkeit gegen Lötwärme |
RSH | 30 | 1 | JESD22 A-111 (SMD) B-106 (PTH) |
21 | Lötbarkeit | SD | 10 | 1 Anmerkung B | J-STD-002 JESD22B102 |
22 | Thermisch Widerstand |
TR | 10 | 1 | JESD24-3,24-4,26-6 Abhängig von der Situation |
23 | Drahtband Stärke |
PSP |
10 Lötdrähte für mindestens 5 Geräte |
1 | MIL-STD-750 Methode 2037 |
24 | Bindungsscherung | BS | 10 Lötdrähte für mindestens 5 Geräte | 1 | AEC-Q101-003 |
25 | Die Schere | DS | 5 | 1 | MIL-STD-750 |
Methode 2017 | |||||
26 | Nicht geklemmt Induktiv Umschalten |
BENUTZEROBERFLÄCHEN | 5 | 1 | AEC-Q101-004 Sektion 2 |
27 | Dielektrische Integrität | DI | 5 | 1 | AEC-Q101-004 Sektion 3 |
28 | Kurzschluss Zuverlässigkeit Charakterisierung |
SCR | 10 | 3 Anmerkung B | AEC-Q101-006 |
29 | Bleifrei | LF | AEC-Q005 |
Beliebte label: AEC-Q101-Zertifizierungstest für diskrete Halbleiterbauelemente, China – Dienstleister für AEC-Q101-Zertifizierungstests für diskrete Halbleiterbauelemente, Fehleranalyse zur Bereitstellung von Lösungen, Mechanische Versagensanalyse, Zerstörerische Versagensanalyse, Fehleranalyse zur Integration in andere Systeme, Fehleranalyse zur Reaktion auf Markttrends, Fehleranalyse zur Verhinderung zukünftiger Fehler