Service-Einführung
GRGT bietetMikrostrukturanalyse und Bewertung von Halbleitermaterialienund Auswertung, um Kunden bei der Verbesserung von Halbleiter- und integrierten Schaltkreisprozessen zu unterstützen, einschließlich der Vorbereitung von Profilen auf Waferebene und elektronischer Analyse, umfassender Analyse der physikalischen und chemischen Eigenschaften von Materialien für die Halbleiterherstellung, Formulierung und Implementierung eines Programms zur Analyse von Halbleitermaterialverunreinigungen.
Leistungsumfang
Halbleitermaterialien, organische Materialien mit kleinen Molekülen, Polymermaterialien, organisch-anorganische Hybridmaterialien, anorganische nichtmetallische Materialien
Serviceprogramm
Mikrostrukturanalyse und Bewertung von HalbleitermaterialienServiceprogramm:
1. Durch die Vorbereitung des Profils auf Chip-Wafer-Ebene und die elektronische Analyse auf Grundlage der fokussierten Ionenstrahltechnologie (DB-FIB), des präzisen Schneidens des lokalen Bereichs des Chips und der elektronischen Bildgebung in Echtzeit können die Struktur und Zusammensetzung des Chipprofils sowie andere wichtige Prozessinformationen gewonnen werden.
2. Umfassende Analyse der physikalischen und chemischen Eigenschaften von Materialien zur Halbleiterherstellung, einschließlich organischer Polymermaterialien, Materialien mit kleinen Molekülen, Analyse der Zusammensetzung anorganischer nichtmetallischer Materialien, Analyse der Molekülstruktur usw.;
3. Formulierung und Umsetzung eines Schadstoffanalyseplans für Halbleitermaterialien. Er kann Kunden dabei helfen, die physikalischen und chemischen Eigenschaften von Schadstoffen vollständig zu verstehen, einschließlich: Analyse der chemischen Zusammensetzung, Analyse des Komponentengehalts, Analyse der Molekülstruktur und Analyse anderer physikalischer und chemischer Eigenschaften.


Serviceartikel
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Diensttyp |
Serviceartikel |
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Elementzusammensetzungsanalyse von Halbleitermaterialien |
l EDS-Elementaranalyse, l Röntgen-Photoelektronenspektroskopie (XPS) Elementaranalyse |
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Molekularstrukturanalyse von Halbleitermaterialien |
l FT-IR Infrarot-Spektrumanalyse, l Röntgenbeugungsspektroskopische Analyse (XRD), l Kernspinresonanz-Populationsanalyse (H1NMR, C13NMR) |
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Mikrostrukturanalyse von Halbleitermaterialien |
l Doppelt fokussierter Ionenstrahl (DBFIB)-Schnittanalyse, l Die Feldemissions-Rasterelektronenmikroskopie (FESEM) wurde zur Messung und Beobachtung der mikroskopischen Morphologie verwendet. l Rasterkraftmikroskopie (AFM) zur Beobachtung der Oberflächenmorphologie |
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