AFM-Analyse (Atomic Force Microscopy).

AFM-Analyse (Atomic Force Microscopy).
Informationen:
Das Rasterkraftmikroskop Bruker Dimension ICON6 unterstützt 12 Modi, darunter Kontakt, Klopfen und Spitzenkraftklopfen, um den Testanforderungen verschiedener Proben gerecht zu werden und verschiedene Testmethoden für Halbleiterwaferfabriken, FABs und Verpackungsanlagen bereitzustellen.
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Beschreibung
Technische Parameter

Angebotene Dienstleistungen

 

Analyse der elektrischen Eigenschaften: DCUBE-SCM-Trägerverteilung, CAFM-Stromerkennung, 3D-NAND-Schnittstellenladung

Oberflächenmorphologie und Defekterkennung: Bildgebung der Oberflächenmorphologie im Nanomaßstab, Defektlokalisierung und -analyse, Unterstützung bei der Prozessoptimierung

Inspektion nanoskaliger Strukturen: Inspektion von Nanodrähten und Nanoröhren, Inspektion von Nanomustern, Leistungsbewertung von Nanogeräten

Inspektion der Verpackungsstruktur: Analyse der Halbleitermaterialeigenschaften, Forschung zu neuen Materialien, Analyse der Materialschnittstelleneigenschaften

Analyse der Eigenschaften von Verpackungsmaterialien: Oberflächeninspektion von Chippaketen, Inspektion der inneren Struktur von Paketen, Erkennung und Analyse von Paketdefekten

 

Zielkunden

 

Halbleiterwaferfabriken, FABs und Verpackungsanlagen

 

Prüfnormen

 

ASTM E2530: AFM-Morphologie-Messmethode

SEMI MF1812: AFM-Testhandbuch für die Oberflächenrauheit von Halbleitern

 

Service-Hintergrund

 

Der Markt für Rasterkraftmikroskope (AFM) verzeichnet aufgrund der steigenden Nachfrage nach Nanotechnologie und hochauflösenden Bildgebungslösungen ein erhebliches Wachstum. Der weltweite Marktwert wird im Jahr 2025 auf 1,75 Milliarden US-Dollar geschätzt und soll bis 2033 auf 3,02 Milliarden US-Dollar anwachsen, was einer durchschnittlichen jährlichen Wachstumsrate von 7,09 % entspricht. Die Marktnachfrage kommt hauptsächlich aus mehreren Bereichen, darunter Biowissenschaften, Materialwissenschaften und Halbleiter. In der Halbleiterfertigung ist AFM (Autonomous Motion Detection) von entscheidender Bedeutung für die Inspektion nanoskaliger Strukturen.

 

Servicewert

 

F&E-Wert

Screening und Optimierung neuer Materialien: Beschleunigt das Screening neuer Halbleitermaterialien (Optimierung der dielektrischen Schichtschnittstelle mit hohem -k), liefert Mikrostrukturdaten, erleichtert Durchbrüche in Forschung und Entwicklung und bietet starke Unterstützung für die Entwicklung neuer Produkte in Halbleiterwaferfabriken, FABs und Verpackungsanlagen.

Lokalisierung von Defekten im Nanomaßstab: Das CAFM-Modul ermöglicht eine schnelle Bildgebung in 10 Minuten und lokalisiert elektrische Defekte im Nanomaßstab genau. Dies verbessert die F&E-Effizienz, verkürzt die Produkteinführungszyklen und hilft Unternehmen, sich einen Wettbewerbsvorteil auf dem Markt zu verschaffen.

 

Produktionswert

Online-Inspektion und Qualitätskontrolle: ScanAsyst scannt und erkennt automatisch Verunreinigungen und mechanische Beschädigungen der Waferoberfläche und ermöglicht so eine Qualitätsüberwachung in Echtzeit während der Produktion, stellt die Produktkonsistenz sicher und senkt die Produktionskosten.

Kundenspezifische Sondenanpassung: Eine maßgeschneiderte Sondenbibliothek mit über 40 Sonden, die an verschiedene Inspektionsszenarien angepasst werden können, bietet flexible Inspektionslösungen, um unterschiedlichen Produktionsanforderungen gerecht zu werden und die Produktionseffizienz zu verbessern.

 

Wert der Fehleranalyse

Nanoskalige Fehlerdiagnose: Hochauflösende Bildgebung und multimodale Analyse diagnostizieren genau die Ursachen von Fehlern und liefern wichtige Daten für die Produktverbesserung, die Reduzierung von Fehlerrisiken und die Sicherstellung der Produktqualität.

 

Fallstudie

 

Eine Halbleiterwaferfabrik stieß während der Produktion auf ein Problem mit der Verunreinigung der Waferoberfläche und suchte nach einer Lösung.

GRGTEST Measurement nutzte das Dimension ICON6 für die XXnm-Prozessprüfung. Der ScanAsyst-Modus dieser Ausrüstung identifizierte schnell die Kontaminationsquelle, was die Inspektionsgenauigkeit und -effizienz erheblich verbesserte und eine zeitnahe Anpassung des Produktionsprozesses und die Lösung des Problems ermöglichte.

 

 

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