Warum verursachen EOS und ESD Produktausfälle?
Während des Montageprozesses elektronischer Geräte machen Ausfälle integrierter Schaltkreise, die durch EOS (Electrical Over Stress) und ESD (Electrical Static Discharge) verursacht werden, etwa 50 % der Gesamtzahl der ausgefallenen Geräte vor Ort aus und gehen in der Regel mit hohen Fehlerraten einher potenzielle Zuverlässigkeitsprobleme.
Ist der Ausfall der Produktionslinie auf EOS oder ESD zurückzuführen?
Die Bestätigung des Fehlermechanismus und der Grundursache ist der erste und entscheidende Schritt zur Verbesserung des Ertrags. Bei der Unterscheidung zwischen EOS und ESD verwenden wir normalerweise zunächst Fehleranalysetechniken, um die physischen Fehlerphänomene von ICs zu untersuchen, und unterscheiden sie dann anhand der Phänomene.
Zu den häufigsten physischen Versagenserscheinungen von ESD gehören Substratzerfall, Schmelzen von polykristallinem Silizium, GOX-Löcher, geschmolzener Kontakt, geschmolzenes Metall usw. (siehe Abbildung 1), während zu den üblichen physischen Versagenserscheinungen von EOS großflächiges Schmelzen der Oxid- und Metallschicht gehört und Karbonisierung des Verpackungskörpers (siehe Abbildung 2).
Abbildung 1: Häufige physikalische ESD-Fehlerphänomene
Abbildung 2: Häufige physische EOS-Fehlerphänomene